褚君浩院士是我国半导体物理和器件专家，中国科学院上海技术物理研究所研究员。1945年3月生于江苏宜兴。1966年毕业于上海师范学院物理系，1981年和1984年先后获得中国科学院上海技术物理研究所硕士、博士学位。现任中国科学院上海技术物理研究所科技委副主任，第十届全国。
褚君浩院士长期从事红外光电子材料和器件的研究，开展了用于红探测器的窄禁半导体碲镉汞（HgCdTe）和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽等关系式，被国际上称为CXT公式，广泛引用并认为与实验结果最符合；建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型；发现了HgCdTe的基本光电跃迁特性，确定了材料器件的光电判别依据；开展了铁电薄膜材料物理和非冷红外探测器研究，研究成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像，为中国物理科学和研究作出了重大贡献。
上海技术物理研究所研究员，博士生导师，红外物理国家重点实验室主任。德国慕尼黑技术大学篁系洪堡研究成员。兼任“红外与毫米波学报”主编，并兼任上海应用物理研究中心副主任、中国物理学会光物理专业委员会副主任、上海物理学会光物理专业委员会主任、上海激光学会副理事长。上海市第11届。主要研究固体物理、窄禁带半导体物理。系统研究了窄禁带半导体的基础物理，在光学性质、电学性质、能带结构、晶格振动、杂质缺陷、二维电子气研究方面取得系统的研究成果，HgCdTe基础物理部分研究成果具有国际领先水平。提出的禁带宽度公式被国际上称为CXT公式（褚、徐、汤）。